La memoria ZRAM debe su nombre a Zero Capacitor RAM, es decir, memoria sin capacitores o condensadores eléctricos.
Isi ha anunciado que ha licenciado su tecnología Z-RAM a hynux semiconductor, esto significa que podemos tener memorias RAM más rápidas gracias a esta tecnología a partir del 2010.
La empresa creadora de este producto anuncia que tendrá los primeros producto para el año 2010 .Estas memorias poseen hasta 5 veces mas velocidad que las actuales con un menor consumo de energía, otra ventaja es su fabricación menos compleja que la tradicional, siendo posible de esta manera producir mas cantidad de unidades en menos tiempo .Los fabricantes de memorias RAM trabajan juntos en este proyecto para desarrollar este tipo de memoria y hacerlas compatibles con las ranuras actuales
La actual memoria SRAM, empleada en la cache, tiene seis transistores por cada celda en cambio la ZRAM utiliza tan solo un transistor por celda, lo que aumenta la capacidad de celdas que podrían caber en el mismo espacio, así la memoria ZRAM duplica la densidad de la DRAM y sextuplica la de la SRAM.
En pocas palabras, la ZRAM es mucho más rápida que la DRAM e incluso, que la SRAM. El problema radica en que al usar este tipo de RAM como memoria principal, los circuitos que se emplean poseen largas líneas por recorrer, que es lo que retrasaría la comunicación y la limitaría a unos 3 nanosegundos.
Para mayor información consultar las siguientes páginas
http://www.tecnologiabit.com/memorias-pram-y-zram-memorias-flash-y-ram/
http://noticiastech.com/wordpress/?p=5731
No hay comentarios:
Publicar un comentario